EPI と MOCVD

SIAMC のグラファイト コンポーネントと絶縁材料は、その優れた熱的特性と機械的特性により、半導体エピタキシャル装置に広く使用されています。エピタキシャル成長プロセスでは、ヒーター、サセプター、ガスインジェクター、ガス分配プレートなどのホットウォールリアクターコンポーネントに高純度グラファイトが使用されます。SIAMC のグラファイト製品は不純物含有量が低いため、高いプロセス純度が保証され、高温処理中の粒子の発生が減少します。

さらに、SIAMC の絶縁材料は、エピタキシャル装置の絶縁と保温に使用され、高いプロセス温度を維持し、熱損失を低減します。これらの材料は優れた断熱特性と高温耐性を備えており、機器の安定かつ効率的な動作を保証します。

全体として、SIAMC のグラファイト コンポーネントと絶縁材料は、エピタキシャル成長プロセスの品質と歩留まりを確保する上で重要な役割を果たしており、半導体製造に不可欠なものとなっています。